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政支字化转型这种大面积二维In2Se3薄膜的相位可控合成策略可以为开发未来FE电子以及内存中逻辑器件的新型结构和概念提供新方向。另外，持中作者使用原位拉曼光谱在柔性PET基板上的样品（图2f，g）来验证应变诱导的相变机制。

如图2d所示，小企当β-InSe被加热到450℃时，SAED图案开始表现出微弱的卫星点，与室温下β-InSe的初始状态不同。一、业数【导读】    In2Se3作为二维（2D）铁电场效应晶体管（FE-FET）对于下一代内存计算很有吸引力。中心层中Se原子的移动在α相中产生了面外和面内铁电性，试点在β′相中产生了面内极化。

制备的异相结器件，入选具有更宽的磁滞窗口并提高了NVM特性。同时，名单作者通过原位拉曼光谱和DFT计算验证了应变弛豫的β′→α相变机制。

批财平台图4.相位可控的大面积二维In2Se3和铁电异相结。

政支字化转型其工作机制是基于类似于单相场效应管的通断开关。持中©2022Wiley05【成果启示】本工作使用快速和稳定的环戊二烯马来酰亚胺逐步增长聚合建立了用于机械取向液晶网络的受控两阶段聚合的保护-去保护方法。

©2022Wiley图二、小企a)用于逐步增长DA聚合的带有马来酰亚胺和环戊二烯部分的双官能单体。©2022Wiley图五、业数热驱动前a)和热驱动后b)的LCN图像。

同时，试点作者通过DSC、DMA、POM和WAXD对薄膜进行了全面的表征，证明了具有热机械驱动能力的单轴取向液晶网络的成功合成。入选图中显示了第一次和第二次聚合后的薄膜以及该过程的卡通图像